
В плазме одновременно присутствуют следующие компоненты:
электроны в высокоскоростном переходном состоянии;
нейтральные атомы и молекулы;
атомы и молекулы в возбужденном переходном состоянии;
ионизированные атомы и молекулы;
атомные группы (радикалы);
ультрафиолетовое излучение, возникающее в процессе диссоциации и реакции частиц.
Несмотря на наличие заряженных частиц, в целом вещество остается электрически нейтральным. «Активными» компонентами плазмы являются ионы, электроны, активные группы, возбужденные нуклиды (метастабильные состояния), фотоны и другие частицы.
Технология плазменной очистки использует свойства низкотемпературной плазмы. Плазма вступает в контакт с поверхностью материала и вступает в реакцию с ней. В результате происходят два процесса:
1. Химическая реакция и поверхностное травление — удаление загрязнений и модификация поверхностного слоя.
2. Физическая очистка — за счет бомбардировки поверхности активными частицами.
Это улучшает смачиваемость поверхности и позволяет внедрять новые химические функциональные группы, изменяя свойства материала.

Преимущества плазменной обработки:
По сравнению с традиционными методами, технология плазменной обработки поверхности имеет следующие преимущества:
Высокая эффективность воздействия: Модификация затрагивает только поверхностный слой материала (от нескольких до десятков нанометров), придавая ему новые свойства без изменения характеристик основного материала.
Широкая область применения: Подходит для обработки любых типов материалов: металлов, пластиков, стекла, полимеров и других.
Простота эксплуатации: Технологический процесс несложен, удобен в управлении, обеспечивает высокую контролируемость и стабильность производства.
Высокая производительность: Короткое время обработки, высокая скорость реакции и равномерность обработки.
Энергоэффективность и экологичность: Полностью сухой метод обработки, не требующий потребления воды, добавления химических реагентов и не создающий загрязнений.
Описание:
Плазменные очистители предназначены для промышленного применения. Они широко используются в электронной, солнечной энергетике, автомобильной, текстильной, упаковочной и полиграфической, биомедицинской и других отраслях промышленности. Отличаются высокой эффективностью обработки и воспроизводимостью результатов. Подходят для процессов очистки, активации, улучшения адгезии, склеивания и травления. Могут быть адаптированы под индивидуальные требования заказчика. Представляют собой профессиональное, эффективное и стабильное решение. Она может очищать большинство пластиков, металла, микросхем, LCD, стекла, LED, PDMS, PCB и т.д.
Схема технологического процесса работы оборудования:
1. Размещение материала — Поместите обрабатываемый материал в камеру.
2. Закрытие дверцы (камеры) — Герметично закройте рабочую камеру.
3. Подключение газа — Подайте технологический газ в систему.
4. Установка параметров — Задайте необходимые параметры обработки.
5. Запуск плазменной очистки — Активируйте процесс плазменной обработки.
6. Выравнивание давления в камере (сброс вакуума) — Уравняйте давление в камере с атмосферным.
7. Извлечение материала — Достаньте обработанный материал из камеры.
Технические характеристики:
Система управления - ПЛК + сенсорный экран
Частота - 40 кГц
Напряжение питания - AC 220 В (±10 В)
Мощность - 300 Вт (регулируемая)
Контроль газа - 2-канальное управление расходом с пропорциональным клапаном
Способ управления - Автоматический и ручной режимы
Размер рабочей камеры (Д×Ш×В) - 250 × 320 × 250 мм
Материал камеры - Нержавеющая сталь 316 / Алюминиевый сплав
Габариты загрузки (Д×Ш) - 240 × 260 мм (всего 4 уровня)
Размер оборудования (Д×Ш×В) - 600 × 560 × 600 мм
Объем камеры - 20 л
Степень вакуума - 10–30 Па
Выбор газа - Ar, N₂, O₂, Air, H₂+N₂ (смешанный состав)
Стандартная комплектация оборудования:
1 Вакуумный плазменный очиститель
2 Система вакуумного насоса с сопутствующими принадлежностями
3 Руководство по эксплуатации
В стоимость не включены пуско-наладочные работы.